RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link