RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link