RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link