RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3480
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link