RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link