RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link