RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2947
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link