RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link