RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3905
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link