RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3668
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link