RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link