RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link