RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3872
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link