RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3804
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link