RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
24
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
16
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
21.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3952
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link