RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2301
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link