RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
77
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1688
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link