RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3% выше полоса пропускания
Причины выбрать
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,426.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
5,760.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
2,426.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
6400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB Сравнения RAM
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link