RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link