RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link