RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
67
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
67
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link