RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905624-009.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link