RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905663-021.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link