RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905700-026.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2703
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link