RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905702-082.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2769
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link