RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905743-045.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link