RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2668
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link