RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link