RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link