RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2364
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link