RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link