RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2130
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link