RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
68
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
68
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link