RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link