RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2980
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link