RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link