RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3621
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link