RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1729
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link