RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около 75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
96
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link