RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2655
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link