RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link