RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2947
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link