RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
5.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
5.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link