RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link