RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link