RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2388
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link