RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2551
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link