RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link