RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2846
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link