RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3028
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link